CF

摘要： 北京冬奥会延庆赛区路面应用马飞龙液态有机融雪剂融雪除冰随着北京冬奥会的临近,延庆赛区的路面除雪铲冰工作已全面启动。由于该赛区所在的海陀山地势高、温差大,作业单位提前建设了液体融雪剂储存罐并储备了CF-7TM液体有机融雪剂,这是北京冬奥会延庆赛区继2020年试用之后正式应用CF-7TM非氯有机融雪剂,充分贯彻了“绿色办奥”理念。

摘要： 1 基本信息 产品名称:多联式中央空调SMMS-u系列 规格型号:MMY-MUP0801HT8Y-CF MMY-MUP1001HT8Y-CF MMY-MUP1201HT8Y-CF MMY-MUP1401HT8Y-CF MMY-MUP1601HT8Y-CF MMY-MUP1801HT8Y-CF MMY-MUP2001HT8Y-CF MMY-MUP2201HT8Y-CF MMY-MUP2401HT8Y-CF产品类型:制冷与空调类生产企业:东芝开利空调销售(中国)有限公司。

摘要： 从2012年算起,穿越火线职业联赛CFPL正在走进第十年。提起这段历程,有太多值得被描述的瞬间,太多值得被提起的选手。江山代有才人出,他们要么取得了他人难以企及的成就,要么以自身的影响力鞭策一代又一代新人。在CF各项大型赛事的现场,在熟悉的地图里,当代CF的新星们再次在赛场上汇聚,枪声响起,往昔的画面骤然清晰,记忆中的身影也在一同闪耀。

摘要： (本讲适合高中) 先举一个简单例子说明什么是对称分离方法. 引例 如图1,已知AD、BE、CF为△ABC的中线.证明:AD、BE、CF交于同一点. 证明 如图2,设AD、BE交于点G1,联结DE. 则 DE(=)1/2AB ? DG1=1/2AG1 如图3,设AD、CF交于点G2,联结DF.类似可证DG2=1/2AG2. 从而,点G1与G2重合. 因此,AD、BE、CF交于同一点.

摘要： 为改善以黑索金(RDX)为含能组分、二醋酸纤维素(CA)为黏结剂的可燃壳体的力学性能,在此基础配方上添加适量碳纤维(CF),然后通过超临界二氧化碳(SC-CO2)发泡技术制备了微孔可燃壳体;采用扫描电子显微镜和落锤冲击试验机,分别研究了发泡前后可燃壳体的断面形貌和力学性能.结果表明,添加适量的CF,可提高可燃壳体的冲击强度,且冲击强度随着CF添加量的增大而增大;当CF的质量分数为1.0％ 时,未发泡可燃壳体的力学性能最优,冲击强度由5.11kJ/m2提高到8.20kJ/m2,增幅达60.47％;增大饱和压力、发泡温度和发泡时间都能够增大泡孔直径,但发泡温度高于130°C会导致泡孔合并;发泡将降低壳体的力学性能,但采用受限发泡制得的可燃壳体的冲击强度优于自由发泡法,当发泡时间为180s时,受限发泡的冲击强度由自由发泡时的5.93kJ/m2升至6.34kJ/m2.

摘要： 综述了近年来国内外关于氧化处理法、表面涂层法、等离子体处理法对CF本体性能、CFRP力学性能的影响研究进展,分析了不同处理法改性CF对CFRP力学性能的作用机制、改性效果和优缺点.指出了近年来国内外研究存在的问题和今后的发展趋势,推动高性能CFRP在航空航天领域进一步应用,为今后研究者进一步研发和生产新型复合材料、改进CFRP综合性能提供完整的数据信息和理论依据.

摘要： 1.题目呈现.如图LRt△ABC中,∠ACB=90°,AC=4,点D是AC的中点,点E在边BC上,且CE√3,以DE为边,在DE的右侧构造等边三角形连DEF,连接CF,则CF的长为___。

摘要： 作者依据不同定理,角度不同给出了多种证明方法,为同学们拓展了思路.供有兴趣的同学借鉴.题目[1]已知E、F分别为△ABC边AC和上的点,BE与CF交于点P,AP与EF交于点Q,过点Q的直线分别与AB、BC、CF交于点G、D、M,CG与DE交于点N.

摘要： 程序传输是数控加工中利用CAD/CAM软件编程制造的重要环节,直接决定数控加工能否顺利进行.CF卡是在数控机床与计算机之间进行数据传输的常用中介工具.通过实践操作探索,提出了在FANUC 0i M数控系统中用CF卡进行程序输入与输出时的注意事项,以及直接用CF卡上存储的程序进行DNC在线加工的操作方法和技巧.

摘要： 为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。rn 常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有较大的提高。用变频C-F法测量MOS结构的界面态,我们发现当槽栅深度为1.02nm时。界面特性最佳,界面时常数τit=(0.20-1.59)μs,密度Du=(0.55-1.08)1012cm-2eV-1。在槽栅刻蚀后,界面态密度明显减小了,而且没产生新的界面陷阱类型。这是由于Cl基刻蚀了AlGaN层的天然氧化层,减小了界面态。这氧化层由于AlOx和GaOx氧化物的形成使得N原子的缺失,从而形成了N空位,同时AlGaN亚表面区域也有其他杂质(如C,O,Si等)。研究不同槽栅深度的MOS-HEMTs的电流崩塌特性,发现短时间低功率的Cl基刻蚀造成的损伤基本没有加剧器件的电流崩塌.

摘要： 为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。rn 常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有较大的提高。用变频C-F法测量MOS结构的界面态,我们发现当槽栅深度为1.02nm时。界面特性最佳,界面时常数τit=(0.20-1.59)μs,密度Du=(0.55-1.08)1012cm-2eV-1。在槽栅刻蚀后,界面态密度明显减小了,而且没产生新的界面陷阱类型。这是由于Cl基刻蚀了AlGaN层的天然氧化层,减小了界面态。这氧化层由于AlOx和GaOx氧化物的形成使得N原子的缺失,从而形成了N空位,同时AlGaN亚表面区域也有其他杂质(如C,O,Si等)。研究不同槽栅深度的MOS-HEMTs的电流崩塌特性,发现短时间低功率的Cl基刻蚀造成的损伤基本没有加剧器件的电流崩塌.

摘要： 为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。rn 常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有较大的提高。用变频C-F法测量MOS结构的界面态,我们发现当槽栅深度为1.02nm时。界面特性最佳,界面时常数τit=(0.20-1.59)μs,密度Du=(0.55-1.08)1012cm-2eV-1。在槽栅刻蚀后,界面态密度明显减小了,而且没产生新的界面陷阱类型。这是由于Cl基刻蚀了AlGaN层的天然氧化层,减小了界面态。这氧化层由于AlOx和GaOx氧化物的形成使得N原子的缺失,从而形成了N空位,同时AlGaN亚表面区域也有其他杂质(如C,O,Si等)。研究不同槽栅深度的MOS-HEMTs的电流崩塌特性,发现短时间低功率的Cl基刻蚀造成的损伤基本没有加剧器件的电流崩塌.

摘要： 一种连接Cf/C及Cf/SiC复合材料与不锈钢的自合金化连接方法，属于异质材料连接技术领域。将一定配比的Ag粉和Ti粉混合均匀后用酒精调成膏状，置于待焊母材之间，在不施加压力的真空条件下，通过连接材料自合金化实现Cf/C及Cf/SiC复合材料与不锈钢的大间隙连接。连接过程中，连接层内形成以塑性较好的Ag固溶体为基、以热膨胀系数较低的Ti颗粒和细小弥散的AgTi颗粒为增强相的复合连接层。该类连接层可通过两种机制缓解接头残余热应力：①Ag基体发生塑性变形吸收应力；②低热膨胀Ti颗粒降低连接层与复合材料界面的热膨胀系数差缓和应力，从而显著提高接头强度。本发明具有接头性能好、工艺方法简单、连接材料制备容易等优点。

摘要： 本发明提供一种CF基板生产线及CF基板的制造方法。本发明的CF基板生产线，通过在镀膜装置与第二清洗装置之间、或者第二清洗装置与烘烤装置之间增加一刻号装置，用于在基板上的导电膜层上刻出一标记图案，形成对位标记，与现有技术相比，避免了对镀膜基板的频繁搬送，提高产品良率，节约制程时间，降低生产成本。本发明的CF基板的制造方法，制程简单，避免了对镀膜基板的频繁搬送，提高产品良率，节约制程时间，降低生产成本。

摘要： 本发明涉及包含一个具有两个端部的直链(全)氟聚醚链的单或双官能(全)氟聚醚，其中一个或两个端部含有‑CF(CF3)COF基团，涉及一种用于制备它们的方法并且涉及它们在另外的官能化(全)氟聚醚的制备中作为前体的用途。本发明还涉及这些另外的官能化(全)氟聚醚。

摘要： 本发明涉及含有CF3O基团的新型烯胺酮、含有CF3O基团的新型吡唑衍生物以及它们的新型制备方法，包括CF3O‑酮的氨基甲酰化和所得CF3O‑烯胺酮与肼环化成三氟甲氧基吡唑类。

摘要： 含有HFO-1234yf(CF3CF=CH2)的有机朗肯循环混合工质，适合作为蒸发温度为60-100°C的低温有机朗肯循环系统的制冷剂。该混合工质由HFO-1234yf、HFC-236fa和HFC-143三种物质按不同的质量比例组成三元混合物。其制备方法是，将上述各种组元按指定的配比在常温下进行物理混合，得到相应的混合工质。本发明工质不破坏臭氧层，温室效应势较低，符合环保要求；热工参数适宜，循环性能优良。在设计工况下的朗肯循环效率为9.5%左右，单位质量输出净功基本在18kJ/kg以上。

摘要： 本公开提供了包含三氟碘甲烷(CF3I)和三氟乙酰氯(CF3COCl)的共沸物或类共沸物组合物，以及形成共沸物或类共沸物组合物的方法，该方法包括将三氟乙酰氯(CF3COCl)和三氟碘甲烷(CF3I)组合以形成共沸物或类共沸物组合物的步骤。

摘要： 本发明公开了一种CF涂布机的异物检测装置，包括设于CF涂布机前端的异物检测装置本体，异物检测装置本体包括投光器、受光器、X轴行走装置以及控制器，X轴行走装置上设有Y轴行走装置，在Y轴行走装置上设有电子坐标尺，电子坐标尺的滑动端固定在受光器或投光器上，电子坐标尺的输出线与控制器连接。本发明还公开了一种CF涂布机的异物检测方法以及CF涂布机。采用本发明，在异物检知装置上设置可驱动受光器或投光器沿玻璃基板Y轴方向移动的Y轴行走装置以及设置能够获知受光器当前位置的电子坐标尺，从而能够在检测出异物的X轴坐标后能够进一步定位异物的Y轴坐标，从而提供更精确的异物坐标，使得定向更明确，缩短人员处理的时间。

摘要： 本发明公开了一种CF基板的制造方法，包括CF制程，在CF制程结束后，对CF基板进行一道UV硬化工序，所述UV硬化工序为在CF基板的背面通过UV灯进行照射。本发明另一方面还提供了一种UV固化装置以及CF基板生产线。与现有技术相比，通过在CF基板制程之后增加一道UV硬化工艺，通过对CF基板的背面进行UV光照硬化，使膜层下部更加键结，锥角更好，即图形可以做得更细的线宽。

摘要： 本发明提供一种CF基板生产线及CF基板的制造方法。本发明的CF基板生产线，通过在镀膜装置与第二清洗装置之间、或者第二清洗装置与烘烤装置之间增加一刻号装置，用于在基板上的导电膜层上刻出一标记图案，形成对位标记，与现有技术相比，避免了对镀膜基板的频繁搬送，提高产品良率，节约制程时间，降低生产成本。本发明的CF基板的制造方法，制程简单，避免了对镀膜基板的频繁搬送，提高产品良率，节约制程时间，降低生产成本。

摘要： 本发明涉及包含一个具有两个端部的直链(全)氟聚醚链的单或双官能(全)氟聚醚，其中一个或两个端部含有-CF(CF3)COF基团，涉及一种用于制备它们的方法并且涉及它们在另外的官能化(全)氟聚醚的制备中作为前体的用途。本发明还涉及这些另外的官能化(全)氟聚醚。