层控

摘要： 罗维钨铋多金属矿床是广西西大明山地区新发现的代表性中型热液矿床.为了促进西大明山地区找矿勘查工作,从地表、深部和显微镜下3个角度观察分析了该矿床的矿化特征,并探讨了矿床成因.罗维钨铋多金属矿床为层控矽卡岩型矿床,矿体主要受寒武纪小内冲组砂岩层理控制,地表氧化后呈黑褐色.矿石矿物主要沿砂岩层理分布,多充填于重结晶的石英间隙,少量被石英包裹.白钨矿与磁黄铁矿密切共生.含矿热液在富集成矿的同时,还沿矿体围岩中的节理形成网格状矿化蚀变.结合同位素组成和成矿时代等资料分析,认为该矿床与燕山晚期形成的隐伏花岗闪长岩体具有直接的成因联系,岩体提供了主要的成矿流体.

摘要： 隘上钨矿地处于南岭东西向构造带东段与于山成矿带中段,是江西首次在石炭系中发现的细脉浸染型层状钨矿床新类型.本人阐述了隘上矿区域成矿地质背景和矿区地质特征;探讨了钨矿床的控矿因素,得出了隘上为交代-层控浸染型钨矿床;总结了新的矿床类型(隘上式-层控浸染型),对同类型矿床找矿具有理论和现实指导意义,可进一步拓展钨多金属矿找矿空间.

摘要： 小草坝白钨矿床是近年新发现的大型层控型白钨矿床,位于上扬子西缘成矿带,但该带中钨矿床较少,该矿床的研究将为区域上钨矿床的新发现提供有益的借鉴。通过对矿区钻孔、填图、分析测试等数据的综合研究,发现矿床产于岩体外接触带的透辉长英质角岩带内,矿体产状与地层基本一致,主矿体与花岗岩体不是直接接触,具明显的层控特征。初步认为,小草坝钨矿床是在中-上三叠统侏倭组具有较高的初始钨丰度的基础上,后经燕山期岩浆活动的叠加改造作用下成矿的,其成因属于沉积-改造型层控白钨矿床。

摘要： 云南砚山玛瑙具有较好宝石学特征,该玛瑙矿体沿古近纪酸性喷出岩(Eλπ)溢流相熔岩之气孔带似层状产出,矿体产出层位较为稳定,为原生分泌体状晶腺型玛瑙矿,矿床成因属层控酸性火山热液型瑙矿床.

摘要： 观音-大市川钒矿位于扬子准地台东北边缘司上-鸡心岭褶皱束内,文中论述了矾矿地质特征,分析了控矿因素及成因类型,认为钒矿床受寒武系鲁家坪组的黑-黑灰-灰色(含)炭(硅)质板岩控制,为浅变质沉积的层控矿床.

摘要： 刁子塘铜多金属矿点,其控矿导矿构造为F2断裂带,已发现和开采的矿体处于向形近其核心部位,根据填图、坑道编录、含矿构造(F3和F5)形迹及物探资料等分析后认为,该勘查区存在背形、向形组合形成复杂的褶皱形态,"背形加一刀"叠加层控模式在该勘查区是最明显的成矿模式,我们一致认为勘查区西部(即F2导矿构造带的西边)是寻找铜多金属矿的最有望地段.

摘要： 矿区位于西昆仑褶皱带塔木—库斯拉甫铜铅锌成矿带,矿区铜铅矿化主要产于中上古生代拗陷沉积的一套浅变质的海相(海陆交互相)的碳酸岩—碎屑岩建造中,区内构造发育,铅、锌、铜矿化受热液改造作用明显.主要蚀变类型为白云岩化、硅化、碳酸盐化等.成矿背景条件十分有利.初步认为该矿区为层控热液改造型铜铅矿.

摘要： 干沟湾铜矿位于四川省泸州市纳溪区渠坝镇,文章对干沟湾铜矿区域地质特征、矿区地质特征、矿床地质特征进行了系统的梳理与分析,认为干沟湾铜矿含矿层位产出于侏罗系上统蓬莱镇组Ⅰ段地层中,为一典型层控型铜矿床,希望对该地区寻找该类型铜矿提供指导.

摘要： 云南巍山县羊虎头矿区为一铜多金属矿区,在勘查过程中发现锑矿,其主要赋存于白垩系上统虎头寺组石英砂岩夹泥质粉砂岩中,并严格受地层控制.通过研究认为矿床成因为属低温热液裂隙充填型层控锑矿床.

摘要： 提供一种触控薄膜叠层卷的制作方法与所制得的触控薄膜叠层片。该触控薄膜叠层卷的制作方法包括：首先，提供叠层卷。叠层卷包含整条的底基材、图案化底导电层、底剥离层与整条的顶导电层。底剥离层覆盖图案化底导电层的底导电端子部。其次，图案化整条的顶导电层，而成为具有顶导电端子部的图案化顶导电层。然后，将顶剥离层印刷在顶导电端子部上。继续，将顶光学胶层整体地贴合至叠层卷上，并覆盖顶剥离层，而得到触控薄膜叠层卷。

摘要： 本发明提供由导电区域（A）和非导电区域（B）形成的图案的非识别性高的图案化导电层合体。所述图案化导电层合体在基材的至少一侧具有图案化导电层，所述图案化导电层在面内具有在基质中含有具有网状结构的金属类线状结构体的导电区域（A）和基质中含有孤立分散的金属类分散体的非导电区域（B），所述图案化导电层合体满足下述（I）和（II）。（I）所述基质由含有下述结构的高分子形成，所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物发生聚合反应得到的，并且来自碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构（＞C＝C＜：式量24）部分相对于所述基质的总质量的质量含有率为9～26质量％，利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳-氢单键（C-H）的伸缩振动的峰强度ν2的关系为ν1/ν2≥0.2。（II）所述非导电区域（B）中利用荧光X射线定量的金属成分的量是在所述导电区域（A）中利用荧光X射线定量的金属成分的量的0.5～0.9倍。

摘要： 本发明涉及触控领域，具体讲，涉及一种触控面板、触控显示装置及其制作方法，能够降低金属部分发生断线的概率，从而改善触控性能。该触控膜层包括柔性衬底和金属层，柔性衬底的材料为聚酰亚胺，金属层与柔性衬底之间设置有有机膜层，有机膜层的水滴接触角小于80°；触控膜层还包括触控电极层，触控电极层包括多组第一触控电极和多组第二触控电极，每组所述第一触控电极包括沿所述第二方向排列的多个第一触控电极，每组所述第二触控电极包括沿所述第一方向排列的多个第二触控电极；金属层包括金属连接线，在每组第一触控电极中，相邻的第一触控电极通过金属连接线电连接。

摘要： 本发明公开了一种触控层、触控面板、触控装置、显示面板和显示装置。其中，所述触控层，包括：多个电极阵列；每一所述电极阵列包括沿第一方向顺次排列的第一电极组、第二电极组和第三电极组，所述第二电极组位于所述第一电极组与所述第三电极组之间；所述第一电极组包括沿第二方向排列的多个第一电极对；所述第三电极组包括沿所述第二方向排列的多个第三电极对；所述第二电极组包括沿所述第二方向排列的多个第二电极；所述第一电极对包括两个第一电极；所述第三电极对包括两个第三电极；所述第一电极对的俯视平面形状中的所述两个第一电极相邻边的延伸方向与所述第二方向非垂直相交。

摘要： 本发明提供一种在规定位置具有与制作触控面板等时使用的粘合片的粘附性优异，并且流平性也优异的透明绝缘层的触控传感器用导电片及其制造方法。并且，提供一种触控传感器、触控面板积层体、触控面板及透明绝缘层形成用组合物。该触控传感器用导电片，具备：基材；图案状导电部，配置在上述基材上，且由金属细线构成；及透明绝缘层，以覆盖上述基材的导电部侧的表面及导电部的方式配置，上述透明绝缘层为使用含有规定的化合物的透明绝缘层形成用组合物而形成的层。

摘要： 本发明提供一种触控电极层制备方法及触控电极层，所述方法包括：提供一基板，其中，所述基板包括基板主体以及导电网络构件；在所述导电网络构件的表面涂布固化层溶液，其中，所述固化层溶液包括光固化胶和唑类化合物；对所述固化层溶液进行固化处理，以得到固化层；去除所述基板主体，以形成触控电极层。本发明还提供一种触控电极层，包括：导电网络构件以及固化层。有益效果：本发明所提供的触控电极层制备方法及触控电极层，将固化层溶液中加入唑类化合物，使触控电极层表面形成了薄而致密的二配位体或全配位体保护膜，从而减缓水气以及腐蚀性气体对触控电极层的侵蚀，延长触控电极层的使用寿命，进一步提升触控电极层的稳定性。

摘要： 本发明提供能够更简便地制造具有配置在基板两面的图案状被镀覆层的含有图案状被镀覆层的层积体的方法、含有金属层的层积体的制造方法、触控面板传感器、触控面板、含有图案状被镀覆层的层积体以及含有金属层的层积体。本发明的含有图案状被镀覆层的层积体的制造方法具有下述工序：制作具有基板和被镀覆层形成用层的层积体的工序，该基板具有2个主面，该被镀覆层形成用层含有聚合引发剂，分别被配置在上述基板的2个主面上；对于层积体中的被镀覆层形成用层按照规定的要件以图案状照射光的工序；以及除去被镀覆层形成用层中的未被光照射的区域，在基板的2个主面上分别形成图案状被镀覆层的工序。

摘要： 提供一种触控薄膜叠层卷的制作方法与所制得的触控薄膜叠层片。该触控薄膜叠层卷的制作方法包括：首先，提供叠层卷。叠层卷包含整条的底基材、图案化底导电层、底剥离层与整条的顶导电层。底剥离层覆盖图案化底导电层的底导电端子部。其次，图案化整条的顶导电层，而成为具有顶导电端子部的图案化顶导电层。然后，将顶剥离层印刷在顶导电端子部上。继续，将顶光学胶层整体地贴合至叠层卷上，并覆盖顶剥离层，而得到触控薄膜叠层卷。

摘要： 本发明提供由导电区域（A）和非导电区域（B）形成的图案的非识别性高的图案化导电层合体。所述图案化导电层合体在基材的至少一侧具有图案化导电层，所述图案化导电层在面内具有在基质中含有具有网状结构的金属类线状结构体的导电区域（A）和基质中含有孤立分散的金属类分散体的非导电区域（B），所述图案化导电层合体满足下述（I）和（II）。（I）所述基质由含有下述结构的高分子形成，所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物发生聚合反应得到的，并且来自碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构（＞C＝C＜：式量24）部分相对于所述基质的总质量的质量含有率为9～26质量％，利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳-氢单键（C-H）的伸缩振动的峰强度ν2的关系为ν1/ν2≥0.2。（II）所述非导电区域（B）中利用荧光X射线定量的金属成分的量是在所述导电区域（A）中利用荧光X射线定量的金属成分的量的0.5～0.9倍。

摘要： 本实用新型公开了床层梯度定向控温反应装置。它包括筒体、设置于筒体内的翅片恒温管组件和/或波纹管组件和/或梯形管组件，与翅片恒温管组件和/或波纹管组件和/或梯形管组件相对应的筒体外壁上设有多个进料口，伸入筒体内壁的进料口处设有气体分布器，筒体被进料口分成多层进料层；有出料口设于筒体下端，筒体固定于裙座上，裙座下端设有底板。本实用新型具有通过不同水平面进料口控制反应床层温度曲线，得到多种组成不同的烃类产品的优点。本实用新型还公开了甲醇加工床层梯度控温装置。