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METHOD OF ANALYSIS OF LEAD TELLURIDE BY STRIPPING VOLTAMMETRY

机译:溶出伏安法测定痕量碲的方法。

摘要

use: the u044du043bu0435u043au0442u0440u043eu0430u043du0430u043bu0438u0442u0438u0447u0435u0441u043au043eu0439 chemistry, analysis of semiconductor compounds. the essence of the method: focusing elements in the u0441u0442u0435u043au043bu043eu0443u0433u043bu0435 - native u044du043bu0435u043au0442u0440u043eu0434u0435 of 0.005, 0.05 m solution u043du0437u0440u043eu0437. concentration of lead u043fu0440u043eu0432u043eu0434u00a0u0442 within the capabilities of -1.20 to 1.30, and the concentration of tellurium from 0.90 to - 1.0 in a relatively u0445.u0441.u044d. 1u0442u0430u0431u043b 2 il.
机译:用途: u044d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u043e u0430 u043d u04d u0430 u043b u0438 u0442 u0438 u0447 u0435 u0441 u0431 u043a u043e u0439化学成分,半导体化合物分析。方法的本质:将 u0441 u0442 u0435 u043a u043b u043e u0443 u0433 u0433 u043b u0435中的元素集中-原生 u044d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u0440 u043e u0434 u0435 0.005,0.05 m溶液 u043d u0437 u0440 u043e u0437。铅的浓度在-1.20到1.30的范围内,碲的浓度从0.90到-1.0,在相对的 u0445。 u0441。 u044d中。 1 u0442 u0430 u0431 u043b 2 il。

著录项

  • 公开/公告号SU1746290A1

    专利类型

  • 公开/公告日1992-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MGU IM.M.V.LOMONOSOVA;

    申请/专利号SU19904843582

  • 发明设计人 KAMENEV ANATOLIJ ISU;GRIGOREVA ELENA VSU;

    申请日1990-06-29

  • 分类号G01N27/48;

  • 国家 SU

  • 入库时间 2022-08-22 05:27:04

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