要解决的问题:要提供长波段,稳定且寿命长的超高速雪崩光电二极管。
解决方案:n型电极层由第一n型电极层11和第二n型电极层12组成,其伸出程度设置为使得第二n型电极层的n型区域n型电极层12位于足够用于雪崩倍增层13的圆周的内部。由此,在雪崩倍增层13的侧面的区域中的通量密度相对较低,并且该区域中的电场强度下降。并且,降低了光吸收层17和p型电极层18的每一侧上的电场强度,并且还减小了集中在雪崩倍增层13的表面上的暗电流,从而实现了电子注入型。可以实现稳定且寿命长的APD(雪崩光电二极管)。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP4191564B2
专利类型
公开/公告日2008-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 NTTエレクトロニクス株式会社;
申请/专利号JP20030318783
申请日2003-09-10
分类号H01L31/107;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:37:10