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半导体工艺中的测试结构、测试结构的形成及掩模的再利用

摘要

在利用重复使用的掩模在多层中形成相同图案的半导体工艺中,形成不同类型的测试结构。容许检查对准精度的参考标记也利用该掩模形成。一类测试结构包括彼此对准且由不同的层形成的特征。其它类型的测试结构包括由不与其它测试结构特征对准的相应的层形成的特征。不同类型的测试结构由单个掩模形成,该单个掩模以这样的方式被使用:当图案化后续层时也容许将要形成的对准标记彼此互不干扰。随着半导体工艺的进行,不同类型的测试结构可洞察不同类型的器件的性能特性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 9/00 变更前: 变更后: 申请日:20080626

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-06-22

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F 9/00 登记生效日:20160530 变更前: 变更后: 申请日:20080626

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-02-29

    授权

    授权

  • 2010-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20080626

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

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