公开/公告号CN101802995B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-29
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克3D有限责任公司;
申请/专利号CN200880022858.0
申请日2008-06-26
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人黄小临
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:09:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 9/00 变更前: 变更后: 申请日:20080626
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-06-22
专利权的转移 IPC(主分类):G03F 9/00 登记生效日:20160530 变更前: 变更后: 申请日:20080626
专利申请权、专利权的转移
2012-02-29
授权
授权
2010-09-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20080626
实质审查的生效
2010-08-11
公开
公开
机译: 确定光刻掩模的掩模层的光学影响包括测量第一测试结构和第二测试结构的几何尺寸,并通过比较它们来确定掩模层的相移和/或吸收
机译: 掩模结构,形成掩模结构的方法,使用该掩模结构形成图案的方法以及在使用该掩模结构的半导体器件中形成接触的方法
机译: 一种测试在光掩模上形成的结构中的缺陷的方法