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在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化

摘要

在一实施例中,用于X射线成像仪(200)的图像传感器(290)包括光电二极管(223)和读出电路。在读出电路之下形成的深阱(232)可以被配置为二极管,用以排出寄生电子,否则的话,寄生电子会在图像中产生噪声。例如,寄生电子可以被排出到电源或者用于计量目的的测量电路。

著录项

  • 公开/公告号CN101401219B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 塞浦路斯半导体公司;

    申请/专利号CN200680013674.9

  • 发明设计人 D·R·谢弗;T·A·沃尔查普;

    申请日2006-03-01

  • 分类号H01L31/113(20060101);

  • 代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人张敬强

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 变更前: 变更后: 登记生效日:20130312 申请日:20060301

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-11-09

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 变更前: 变更后: 登记生效日:20110921 申请日:20060301

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-09-22

    授权

    授权

  • 2009-05-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-01

    公开

    公开

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