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一种内离子源惯性静电约束聚变装置

摘要

本发明涉及一种内离子源惯性静电约束聚变装置,包括阳极、阴极、与阴极连接的高压引入支撑杆、内离子源、真空系统、高压系统,其中,所述内离子源的阳极电位低于惯性静电约束聚变装置的阳极电位;所述阴极为网状球形经纬圈结构,经圈和纬圈内具有冷却通道;在惯性静电约束聚变装置内设有离子运动轨迹微扰器,用于微扰改变离子运动的角动量。本发明采用内离子源技术可以长期约束离子在装置内的往返运动,采用离子运动轨迹微扰器可以避免离子返回离子源导致的离子损失,采用高真空环境可以避免由电离导致的离子损失和高压电源损耗。该装置由于可以长时间注入累积离子,因而可以提高中子产额和盈亏比。

著录项

  • 公开/公告号CN111243765B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010138339.3

  • 发明设计人 李金海;刘丹;

    申请日2020-03-03

  • 分类号G21B1/05(20060101);G21B1/11(20060101);

  • 代理机构11311 北京天悦专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人田明;任晓航

  • 地址 102413 北京市房山区新镇三强路1号院

  • 入库时间 2022-08-23 13:14:54

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