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铸锭单晶籽晶、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种铸锭单晶籽晶及其制备方法、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸锭单晶籽晶内掺杂有掺杂元素,掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积,掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米。应用本发明技术方案的铸锭单晶籽晶,由于掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积,且掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米,能够在长晶之前熔化阶段的热处理过程中明显抑制氧沉淀,以保持晶体结构在熔化阶段热处理后的完美性,减少了位错滋生,提高铸锭良率和硅片效率,从而达到降本增效的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN111910248B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司;

    申请/专利号CN202010673754.9

  • 发明设计人 刘海;张华利;胡动力;

    申请日2020-07-14

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/00(20060101);C30B15/04(20060101);C30B11/00(20060101);C30B29/64(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人孔令聪

  • 地址 221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号

  • 入库时间 2022-08-23 13:07:46

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