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AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法

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本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al2O3基板(1310)的表面生长。

著录项

公开/公告号CN110431259B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-28

原文格式PDF
申请/专利权人国立大学法人名古屋大学;
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申请/专利号CN201880018464.1
发明设计人宇治原彻;竹内幸久;塩尻大士;松本昌树;齐藤广志;林育夫;
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申请日2018-03-16
分类号C30B29/62(20060101);C04B35/581(20060101);C30B29/38(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人苗堃;金世煜
地址日本爱知县
入库时间 2022-08-23 12:52:49

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