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公开/公告号CN111676450B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林大学;
申请/专利号CN202010589908.6
发明设计人 殷红;李冬冬;高伟;
申请日2020-06-24
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/46(20060101);C23C14/02(20060101);
代理机构22212 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙);
代理人李荣武
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2022-08-23 12:43:21
机译: 利用离子束溅射沉积制备基于Zr点的闪存的方法
机译: 离子束溅射沉积制备基于ZR-DOT的闪存
机译: 具有单原子层台阶的六方氮化硼衬底及其制备方法和应用
机译:离子束溅射沉积在镍箔上合成大型单晶六方氮化硼畴
机译:离子束溅射沉积法在铜箔上控制多层六方氮化硼的生长
机译:通过离子束溅射在镀铂硅衬底上沉积的高度可调介电Ba_(0.7)sr_(0.3)tio_3厚膜的低温钙钛矿晶化
机译:用于微致动器应用的硅基(Pb,LA)(Zr,Ti)O_3防废料厚膜的微电子制备方法
机译:通过离子束溅射沉积的介电薄膜,用于基于III-V的红外光电成像。
机译:基于离心的金纳米粒子制备方法及其在生物检测中的应用
机译:电镀膜的结构及电子产品的应用。通过电沉积和化学沉积的软磁材料制备方法及其性能。
机译:通过计算机控制双离子束溅射系统沉积多组分薄膜用于电光应用