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公开/公告号CN106711027B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201710076760.4
发明设计人 黄凯;欧欣;张润春;游天桂;王曦;
申请日2017-02-13
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/762(20060101);B81C3/00(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋缨
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:27:46
机译: 包含铝金属化晶圆的混合晶圆对晶圆的键合和表面制备方法
机译: GaAs / Si及其相关晶圆键合虚拟衬底的制备方法
机译: GaAs / Si及相关晶圆键合虚拟衬底的制备方法
机译:使用晶圆键合将高质量的结晶层从绝缘体上硅衬底转移到蓝宝石衬底上
机译:使用耐高温聚合物的永久性晶圆键合和临时晶圆键合/去键合技术
机译:晶圆键合SOI衬底中制造的异质结双极晶体管中自热效应的仿真
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:通过晶圆键合在al2O3衬底上制备Inas / alsb / Gasb异质结双极晶体管
机译:用于晶圆键合的晶圆清洗和预粘接模块