一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

摘要

本发明涉及一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法，选择氯化铜，氯化亚锡，亚硒酸钠作为铜、锡、硒源，以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂，尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液，调节镀液pH值为1.5‑5后在室温下进行电沉积得到Cu掺杂SnSe预沉积薄膜，之后将SnSe预沉积薄膜退火，得到Cu掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Cu掺杂SnSe半导体薄膜，薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高，有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能，具有可控性强，重复性好的特点，适用于大面积制备。