具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体及其制备方法，在GeTe基温差电单体的两端有纳米复合结构界面势垒层。纳米复合结构界面势垒层厚度为1μm～3μm，势垒层为三层材料叠加：Mo—纳米C—Mo，各层材料厚度设计比例为Mo:纳米C:Mo＝2:1:2。所述GeTe温差电单体分子式为GeTe_x(Pb_aMn_1‑aTe)_1‑x，其中x的取值范围为80％～95％，a的取值范围为60％～70％，百分比为原子百分比。分三层溅射，溅射过程实现纳米结构原位生长，溅射顺序为Mo—纳米C—Mo。本发明采用磁控溅射工艺进行微米级势垒层制作，显著减低界面势垒层厚度，提高单体有效高度；界面势垒层引入纳米结构，可有效提高集成界面质量，降低接触电阻。