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枝晶生长控制电路和用于控制互连枝晶生长的方法

摘要

本发明提供了一种电路,其由于枝晶形成电流,防止在半导体器件处理过程中互连上的枝晶形成。该电路包括设置在枝晶形成电流路径的至少一个中的开关。该开关配置为在处理过程中“开路”或处于“截止”状态,以及配置为在处理之后“闭合”或处于“导通”状态,以允许半导体器件的正确功能。该开关可以包括nFET或pFET,取决于它用于控制或防止枝晶形成的环境。开关可以配置为当在制造半导体器件的工作过程中提供输入信号时,变为“闭合”状态。

著录项

  • 公开/公告号CN100390959C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200510123300.X

  • 申请日2005-11-15

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-13

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-05-28

    授权

    授权

  • 2006-08-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-21

    公开

    公开

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