法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-07
授权
授权
2019-02-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/20 申请日:20181017
实质审查的生效
2019-01-11
公开
公开
机译: 使用压力驱动生长工艺和多个籽晶垫制造合成单晶金刚石材料的方法,每个籽晶垫包括多个单晶钻石晶种
机译: 用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法,碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶
机译: 一种生产单晶或准单晶金刚石层的方法,该方法布置在单晶或准单晶金刚石层的主体上。