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一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法

摘要

一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法,本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集,进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法:一、单晶金刚石籽晶清洗;二、制备遮挡掩体;三、放置样品;四、关舱;五、抽真空;六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    授权

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  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/20 申请日:20181017

    实质审查的生效

  • 2019-01-11

    公开

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