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一种四方相和/或六方相一硒化钴二维材料及其制备和应用

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本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种四方相和/或六方相的一硒化钴二维材料的制备方法，将氯化钴、Se粉加热挥发，随后在含氢载气、540‑630℃的沉积温度下反应，在基底表面生长得到四方相和/或六方相的CoSe二维材料；所述的含氢载气为保护气和H

著录项

公开/公告号CN109881255B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人湖南大学;
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申请/专利号CN201910196239.3
发明设计人段曦东;段镶锋;马惠芳;万众;
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申请日2019-03-15
分类号
代理机构长沙市融智专利事务所(普通合伙);
代理人盛武生
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
入库时间 2022-08-23 11:06:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-24

授权

授权
2019-07-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/64 申请日:20190315

实质审查的生效
2019-06-14

公开

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