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基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法

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摘要

本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值h

1. 基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法 [P] . 中国专利： CN106556810B . 2019.08.02
2. 基于内部偏置场易轴方向的磁阻静态特性优化方法 [P] . 中国专利： CN106680743B . 2019.07.19
3. Device for generating bias field in magneto sensor, has bias field generator comprising housing with cavity that extends in x-direction such that cavity is laterally bound by material of housing in y or z-direction [P] . 德国专利： DE102011111094A1 . 2012-03-22

机译：用于在磁传感器中产生偏置场的装置，具有偏置场发生器，该偏置场发生器包括壳体，该壳体具有在x方向上延伸的空腔，使得空腔在y或z方向上被壳体的材料横向约束。
4. MAGNETORESISTANCE SENSOR, ITS PRODUCTION, OPTIMIZING METHOD FOR INTERFACE CHARACTERISTICS AND OPTIMIZING METHOD FOR MAGNETORESISTANCE RESPONSE [P] . 日本专利： JPH10177705A . 1998-06-30

机译：磁阻传感器，其产生，界面特性的优化方法和磁阻响应的优化方法
5. MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT HAVING OPTIMIZED BIAS-FIELD-DEPENDENT RESONANT FREQUENCY CHARACTERISTIC [P] . CA2280148A1 . 1998-08-20

机译：具有优化的偏置场相关共振频率特性的磁阻元件