公开/公告号CN104037225B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201310233806.0
申请日2013-06-13
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:26:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
授权
授权
2014-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20130613
实质审查的生效
2014-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130613
实质审查的生效
2014-09-10
公开
公开
2014-09-10
公开
公开
机译: 具有扩展的栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管
机译: 具有扩展栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管
机译: 具有扩展的栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管