高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法

摘要

本发明涉及高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0^°<α≤30^°。采用本发明的斜角度籽晶托不仅可以有效降低制备晶体的缺陷密度，还可以直接选择无偏角晶片作籽晶，从而有效节约晶体制备的成本。