首页> 中国专利> 一种应变局部化带内应变场的半子区相关光学测量方法

一种应变局部化带内应变场的半子区相关光学测量方法

摘要

本发明提供一种应变局部化带内应变场的半子区相关光学测量方法,采集受载过程中物体一个表面的图像;获得图像上各测点的位移和应变和待测应变局部化带的倾角,在待测应变局部化带的法线方向上布置两条平行测线并布置若干测点;获得同时位于测线上和待测应变局部化带起始边界线上的测点的坐标和位移;在待测应变局部化带内外确定与所述测点间距为测线间隔一半的测点的坐标和位移;计算矩形像素块的应变;获得待测应变局部化带内部的应变场的分布规律。本发明可以较好地测量应变局部化带内的应变场的时空分布规律,测量得到的应变局部化带内的应变分布较为光滑、连续、准确,提高了应变局部化带内部应变场的测量精度,在固体实验力学领域有广泛的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN106767481B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 辽宁工程技术大学;

    申请/专利号CN201611253675.2

  • 发明设计人 王学滨;侯文腾;杜亚志;

    申请日2016-12-30

  • 分类号

  • 代理机构沈阳东大知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡晓男

  • 地址 123000 辽宁省阜新市中华路47号

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-28

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/16 申请日:20161230

    实质审查的生效

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/16 申请日:20161230

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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