半导体中微结构的紫外线激光烧蚀的图案化

摘要

使用紫外激光烧蚀，小于50微米的特征尺寸的图案快速地直接在半导体特别是硅中形成。这些图案包含用在集成电路连线中非常高的宽高比的圆柱形的通孔开口；半导体晶片上面包含的被处理晶粒的切断；以及微型程序切割以从半导体母晶片中分开微型电路工件。从二极管泵浦，Q-开关式(Q-switched)三倍频Nd:YAG，Nd:YVO₄、或是二极管泵浦ND:YLF的激光输出脉冲(32)，其是使用复合光束定位器以高速度精确地导引到工件。光学系统产生一个大约10微米的高斯光点大小或者是顶帽式光束形状。使用该聚焦光点尺寸用来进行硅高速烧蚀处理的脉冲能量，是每一脉冲大于200微焦、脉冲重复频率大于5千赫兹并而且最好大于15千赫兹。在半高全宽点测量到的激光脉冲宽度最好是小于80纳秒。