具有利用超薄介质击穿现象的存储器的智能卡

摘要

一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的智能卡，系一种具有改进的不挥发性存储器的智能卡。智能卡可包括一个处理器和存储器。存储器由大量的存储器单元构成。这些半导体存储器单元每一个都有一个在一种超薄介质(如栅氧化层)周围构成的数据存储元件。栅氧化层用于存储信息，其方法是通过给超薄介质加应力使其击穿(软击穿或硬击穿)建立起存储器单元的漏泄电流电平。存储器单元通过感测单元的吸收电流进行读出。一种适合的超薄介质是厚度为50埃或小于50埃的高质量栅氧化层，通常用现有的先进CMOS逻辑工艺可以实现。