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公开/公告号CN211620660U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 珠海鼎泰芯源晶体有限公司;
申请/专利号CN201922459336.5
发明设计人 赵有文;沈桂英;段满龙;杨俊;卢伟;刘鹏;
申请日2019-12-31
分类号C30B11/00(20060101);C30B29/40(20060101);C30B31/04(20060101);
代理机构44291 广东朗乾律师事务所;
代理人闫有幸
地址 519000 广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
入库时间 2022-08-22 17:05:24
机译: VB / VGF方法的石英管和用于晶体生长的装置
机译: VB / VGF法石英晶体管及晶体生长装置
机译: 水平注射合成后旋转连续VGF晶体生长装置和方法
机译:C_(60)晶体生长高性能纳米级场效应C_(60)瞄准C_(60)晶体生长高性能纳米级探测法沉积溶液的简单制造C_(60)晶体生长高性能纳米级效果C_(60)晶体管
机译:通过第一原理计算和水热晶体生长的压电性能预测Si1-XSnXO2α-石英阶段的水热晶体生长
机译:通过组装温度降温装置(ATR)方法,晶体生长和高效半型非线性光学(NLO)单晶(2A5NPCL)的晶体生长和表征氯化物(2A5NPCL)
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机译:经典晶体生长理论的机理解释了石英和硅酸盐的溶解行为
机译:熔焊法研究双氧化物的晶体生长:基于氧离子紧密堆积的晶体平面缺陷结构
机译:研究Czochralski液封晶体生长技术。