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基于有源电感实现的半有源片上电感

摘要

本发明公开一种可应用于射频集成电路的基于有源电感实现的片上半有源电感,包括一个片上无源电感、一个负阻结构单元和一个有源电感单元三个部分。其中,片上无源电感的一端为输入端,另一端接地;负阻结构单元是一个二端口电路,其中端口1接输入端,端口2接有源电感单元的输入端;有源电感单元是一个单端输入有源电感,其输入端与负阻结构单元的端口2相连接。本发明采用负阻结构单元补偿了无源片上电感的损耗,将有源电感连接负阻结构单元的负载,占用芯片面积小,提高了片上无源电感在高频下的Q值。

著录项

  • 公开/公告号CN103475357B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201310392076.9

  • 申请日2013-08-31

  • 分类号

  • 代理机构陕西电子工业专利中心;

  • 代理人田文英

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    授权

    授权

  • 2014-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/094 申请日:20130831

    实质审查的生效

  • 2013-12-25

    公开

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