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基于BBO超快倍频的光子学器件

摘要

本实用新型提供了一种基于BBO超快倍频的光子学器件,涉及非线性光倍频技术领域,具体涉及一种基于BBO超快倍频的光子学器件。本实用新型是为了解决在光倍频技术中,现有的BBO晶体由于色散产生的群速度失配,引起的脉冲展宽问题。本实用新型包括低温相偏硼酸钡晶体、高温相偏硼酸钡晶体。通过高温相偏硼酸钡晶体对倍频光群速度失配进行补偿,防止其脉冲展宽。

著录项

  • 公开/公告号CN206401709U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN201720020025.7

  • 发明设计人 张留洋;孙上傲;

    申请日2017-01-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

  • 入库时间 2022-08-22 02:50:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S3/109 授权公告日:20170811 终止日期:20180109 申请日:20170109

    专利权的终止

  • 2017-08-11

    授权

    授权

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