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公开/公告号CN206401709U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN201720020025.7
发明设计人 张留洋;孙上傲;
申请日2017-01-09
分类号
代理机构
代理人
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
入库时间 2022-08-22 02:50:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-28
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S3/109 授权公告日:20170811 终止日期:20180109 申请日:20170109
专利权的终止
2017-08-11
授权
机译: 基于超快Ge / Si谐振器的调制器,用于硅光子学中的光学数据通信
机译: 基于超快淬灭的非易失性双稳态器件
机译: 基于超快淬火的非易失性双稳态器件
机译:基于BBO的超快倍频光子器件设计
机译:超快倍频光子器件的设计
机译:基于超细纤维的WS 2 sub>薄膜可饱和吸收体,用于超快光子学
机译:超快分子光子学材料和器件
机译:基于元表面的光电器件,用于偏振检测和超快光学调制
机译:超光子器件:超光子器件中超快全光开关动力学的泵浦色选择控制(Adv。Sci。14/2020)
机译:基于Spiking VCSEL神经元的神经形态光子学的超快光学积分和模式分类
机译:基于石墨烯的集成光电器件,用于超快光学THz光电探测器,调制器和发射器。