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交叉耦合结构的高速CMOS单片集成光接收机前端电路

摘要

本实用新型公开了一种交叉耦合结构的高速CMOS单片集成光接收机前端电路,包括:结构完全对称的光电探测器、差分结构的跨阻放大器、直流偏移消除单元、三级顺序级联的差分限幅放大器、输出缓冲级;差分结构的跨阻放大器,用于将光电探测器输出的电流信号转化为电压信号,并进行初步放大;直流偏移消除单元,用于消除跨阻放大器输入端非平衡信号引入的直流偏移,使跨阻放大器差分输出端共模电平一致;三级顺序级联的差分限幅放大器,用于将跨阻放大器输出的电压信号放大到数字处理单元所需电压水平。采用本实用新型提出的交叉耦合结构、噪声同相抵消技术和并联式有源电感设计,可实现高速、高灵敏度标准CMOS单片集成光接收机。

著录项

  • 公开/公告号CN204316511U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201420857707.X

  • 发明设计人 谢生;陶希子;毛陆虹;高谦;

    申请日2014-12-30

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人温国林

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-22 00:35:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04B10/69 授权公告日:20150506 终止日期:20161230 申请日:20141230

    专利权的终止

  • 2015-05-06

    授权

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