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用于低功率电压基准和偏置电流发生器的电路

摘要

一种用于产生PTAT电压来作为一对双极型晶体管之间的基极-发射极电压差的电路。所述电路可以在级联电压基准电路中形成单位单元(unit?cell),所述级联电压基准电路随着每个后续级增大PTAT电压。所述双极型晶体管是使用偏置布置来控制,所述偏置布置包括连接至电流镜的MOS晶体管,所述电流镜为所述双极型晶体管提供基极电流。通过在末级组合PTAT电压与CTAT电压来形成电压基准。所述电压基准可以在所述末级中从所述双极型晶体管之一的发射极处的电压获得。

著录项

  • 公开/公告号CN103729011B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美国亚德诺半导体公司;

    申请/专利号CN201310470235.2

  • 发明设计人 S·马里恩卡;

    申请日2013-10-10

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人申发振

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-20

    授权

    授权

  • 2014-05-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20131010

    实质审查的生效

  • 2014-04-16

    公开

    公开

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