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公开/公告号CN102687298B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201080059956.9
发明设计人 李霞;升·H·康;
申请日2010-11-30
分类号H01L43/12(20060101);H01L27/22(20060101);G11C11/16(20060101);H01F10/32(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:37:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
授权
2012-11-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20101130
实质审查的生效
2012-09-19
公开
机译: 使用顶部和底部电极(包括磁性隧道结)制造和集成设备
机译:在具有由垂直磁化的D0(22)-Mn3Ge膜组成的顶部电极的全外延磁性隧道结中的隧道磁阻
机译:关于Ti添加剂在基于HfO_2的金属-绝缘体-金属结构中的电阻转换中的作用:顶部电极与底部电极的集成
机译:通过所有室温制造工艺形成的具有L2_1顺序的Co_2FeSi电极的磁性隧道结
机译:具有不同缓冲层的磁性隧道结底部电极的磁性和磁化动力学
机译:集成有序纳米材料电极的先进电化学储能装置的制造
机译:具有集成电极以直接量化跨内皮电阻的芯片上器官系统的制造和验证
机译:全聚苯乙烯微流体装置的制造与表征,具有集成电极和管
机译:制造具有集成的集电极栅格的太阳能电池的方法