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具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成

摘要

本发明揭示一种电子装置制造工艺,其包括沉积底部电极层(711)。接着,在所述底部电极层上制造电子装置(721)。在制造所述电子装置之后且在与图案化顶部电极分开的工艺中执行图案化所述底部电极层。接着将第一电介质层(740)沉积于所述电子装置及所述底部电极层上,随后沉积顶部电极层(751)。接着在与所述底部电极分开的工艺中图案化所述顶部电极。分开图案化所述顶部电极与所述底部电极通过减小电子装置之间的电介质材料中的空隙改善了良率。所述制造工艺非常适合的一种电子装置为磁性隧道结MTJ。

著录项

  • 公开/公告号CN102687298B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201080059956.9

  • 发明设计人 李霞;升·H·康;

    申请日2010-11-30

  • 分类号H01L43/12(20060101);H01L27/22(20060101);G11C11/16(20060101);H01F10/32(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-30

    授权

    授权

  • 2012-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20101130

    实质审查的生效

  • 2012-09-19

    公开

    公开

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