首页> 中国专利> 带离子阱的脉冲式辉光放电离子源

带离子阱的脉冲式辉光放电离子源

摘要

本发明提供了一种带离子阱的脉冲式辉光放电离子源,包括:电源、能够产生离子的放电体C和离子引出电极B2,放电体C的高压端连接电源,低压端通过相互串联的限流电阻R1和高压开关S1接地,离子引出电极B2的一端通过分压电阻R3连接放电体C的高压端,另一端通过相互串联的分压电阻R2和高压开关S2接地,放电体C包括两个位置相对的正负放电电极和筒状可提供稳定的脉冲辉光放电区域的离子源电极筒,该正负放电电极通过开设在离子源电极筒侧壁上的开孔伸入到离子源电极筒内。本发明所述脉冲式辉光放电离子源,实现了脉冲离子流强度及脉宽的可调控。同时克服了离子附着离子源管壁的问题,减少了离子损失,提高了离子引出率。

著录项

  • 公开/公告号CN102945785B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉矽感科技有限公司;

    申请/专利号CN201210448724.3

  • 申请日2012-11-12

  • 分类号H01J49/10(20060101);H01J49/12(20060101);G01N27/62(20060101);

  • 代理机构44289 深圳市中原力和专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人曹抚全;王英鸿

  • 地址 430000 湖北省武汉市东西湖区五环大道31号

  • 入库时间 2022-08-23 09:34:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-13

    专利权的转移 IPC(主分类):H01J49/10 登记生效日:20190725 变更前: 变更后: 申请日:20121112

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2015-12-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01J49/10 登记生效日:20151210 变更前: 变更后: 申请日:20121112

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-04-15

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01J49/10 变更前: 变更后: 登记生效日:20150323 申请日:20121112

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-10-22

    著录事项变更 IPC(主分类):H01J49/10 变更前: 变更后: 申请日:20121112

    著录事项变更

  • 2013-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J49/10 申请日:20121112

    实质审查的生效

  • 2013-02-27

    公开

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