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硫属化合物粉、硫属化合物糊剂、硫属化合物粉的制造方法、硫属化合物糊剂的制造方法和硫属化合物薄膜的制造方法

摘要

在得到硫属化合物的膜状结晶时,有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行S e化处理的方法,但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法,可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶,但硫属化合物中所含的碳量多,因此电阻值高,在太阳能电池用途等中无法得到令人满意的特性。通过将平均一次粒径为0.3μm以下的金属氢氧化物粉末和选自硒、硒化合物的组中的1种以上物质在还原性气体中加热到220℃以上,可以得到含有Cu-In-(Ga-)Se、且平均粒径(D50)低于0.5μm、粉末中的碳量为0.2质量%以下的硫属化合物粉。

著录项

  • 公开/公告号CN102652114B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同和控股(集团)有限公司;

    申请/专利号CN201080052489.7

  • 发明设计人 石川雄一;藤野刚聪;

    申请日2010-12-07

  • 分类号

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-20

    授权

    授权

  • 2012-10-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20101207

    实质审查的生效

  • 2012-08-29

    公开

    公开

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