一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力的建模方法

摘要

本发明公开了一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，增加了版图参数和影响系数，版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压V_fb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供了根据版图参量确定晶体管饱和阈值电压V_tsat和饱和漏极电流I_dsat的变化特性的方法。本发明在标准的PSP模型基础上考虑了版图参量对与尺寸无关的平带电压V_fb0和零电场下迁移率μ0的影响；并重新定义与尺寸无关的平带电压V_fb0和零电场下迁移率μ0。