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增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构

摘要

一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板;施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,因此,第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次较高能量n型离子布植,以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩,以形成多个n型杂质第二掺杂区,第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸,第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区,第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接,電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,可以增加光电流,使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。

著录项

  • 公开/公告号CN102623312B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英稳达科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201110231923.4

  • 发明设计人 简荣吾;

    申请日2011-08-15

  • 分类号

  • 代理机构上海波拓知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨波

  • 地址 中国台湾桃园县大溪镇仁和路二段349号

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/265 授权公告日:20141126 终止日期:20190815 申请日:20110815

    专利权的终止

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20110815

    实质审查的生效

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20110815

    实质审查的生效

  • 2012-08-01

    公开

    公开

  • 2012-08-01

    公开

    公开

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