首页> 中国专利> 低电压低功耗CMOS温度传感器

低电压低功耗CMOS温度传感器

摘要

本发明提供一种低电压低功耗CMOS温度传感器,作为基于工作在亚阈值区的串联的场效应晶体管设计的超低功耗嵌入式CMOS温度传感器,特别适用于无源RFID在食物检测中的应用。使用串联的工作在亚阈值区的场效应晶体管作为传感元件进一步减小所需工作电压,进而减小功耗,这对无源RFID应用来说非常重要。温度传感器是无源RFID标签的一部分,其包含温度传感器前端、PTAT和CTAT延迟发生器、时间数字差分输出电路。在优选实施例中,该传感器嵌入于无源超高频RFID标签,此标签采用传统0.18μm 1P6M CMOS工艺制备而成。传感器前端的工作电压在0.5V以内,其数字接口的工作电压在1V以内。该传感器在33次样本/秒时所测得的总功耗为119纳瓦,其校准后在-10℃至30℃之间可达到的精度为+1/-0.8℃。

著录项

  • 公开/公告号CN102338669B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 香港科技大学;

    申请/专利号CN201110141653.8

  • 发明设计人 罗文基;阿明·贝尔马克;梁锦和;

    申请日2011-05-27

  • 分类号G01K7/01(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈源;张天舒

  • 地址 中国香港九龙清水湾

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01K 7/01 申请日:20110527

    实质审查的生效

  • 2012-02-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号