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红荧烯弱外延生长薄膜及其在有机薄膜晶体管中的应用

摘要

本发明提供一种红荧烯的弱外延生长薄膜以及这种薄膜在有机薄膜晶体管中的应用,利用诱导层材料的晶体和红荧烯晶体晶格之间存在外延关系,红荧烯分子在大面积连续的有序诱导层表面进行外延生长,从而获得高品质的多晶薄膜。本发明采用常规真空沉积技术,利用弱外延生长方法制备红荧烯多晶薄膜,工艺简单,采用弱外延生长的红荧烯薄膜的晶体尺寸较大,薄膜连续性好。30纳米红荧烯弱外延生长薄膜的透射光谱,在可见光区域,红荧烯的透光率大于90%,可以作为透明材料使用。所制得的薄膜晶体管迁移率达到1.4-3.6cm

著录项

  • 公开/公告号CN102154688B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春圣卓龙电子材料有限公司;

    申请/专利号CN201110073179.X

  • 发明设计人 王彤;黄丽珍;

    申请日2011-03-25

  • 分类号

  • 代理机构长春科宇专利代理有限责任公司;

  • 代理人马守忠

  • 地址 130021 吉林省长春市同志街64号火炬大夏1511室

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 23/02 授权公告日:20131204 终止日期:20180325 申请日:20110325

    专利权的终止

  • 2013-12-04

    授权

    授权

  • 2013-12-04

    授权

    授权

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/02 申请日:20110325

    实质审查的生效

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/02 申请日:20110325

    实质审查的生效

  • 2011-08-17

    公开

    公开

  • 2011-08-17

    公开

    公开

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