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ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法

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摘要

本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3～5分钟，接着在(NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/02 授权公告日:20140108 终止日期:20141202 申请日:20111202

专利权的终止
2014-01-08

授权

授权
2012-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/02 申请日:20111202

实质审查的生效
2012-06-13

公开

公开

1. ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法 [P] . 中国专利： CN102492932B . 2014.01.08
2. ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 [P] . 中国专利： CN104143760A . 2014-11-12
3. Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur [P] . 美国专利： US5668049A . 1997-09-16

机译：制备包括具有气相硫的小面涂层的GaAs基激光器的方法
4. Process for the in-situ preparation of urea groups containing diisocyanates in polyols, dispersions and solutions prepared according to this process and their use [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0148462B1 . 1987-07-08

机译：原位制备多元醇中含有二异氰酸酯的脲基的方法，根据该方法制备的分散体和溶液及其用途
5. Process for the in-situ preparation of urea groups containing diisocyanates in polyols, dispersions and solutions prepared according to this process and their use [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0148462A1 . 1985-07-17

机译：原位制备多元醇中含有二异氰酸酯的脲基的方法，根据该方法制备的分散体和溶液及其用途