法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 35/04 授权公告日:20130731 终止日期:20151018 申请日:20111018
专利权的终止
2013-07-31
授权
授权
2012-07-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/58 申请日:20111018
实质审查的生效
2012-06-20
公开
公开
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法