法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20130515 终止日期:20141209 申请日:20111209
专利权的终止
2013-05-15
授权
授权
2012-06-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20111209
实质审查的生效
2012-04-04
公开
公开
机译: 使具有较高Ge浓度的第一SiGe层的应变Si器件松弛以具有与具有较低Ge浓度的第二SiGe层基本相同的晶格常数
机译: 具有外延稀土氧化物夹层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制备方法
机译: 具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法