具有竖直地位于分层层组之间的源区的微电子装置，以及相关方法和系统

摘要

本申请涉及具有竖直地位于分层层面之间的源区的微电子装置以及相关方法和系统。微电子装置包含堆叠结构对。所述对包括下部堆叠结构和上覆所述下部堆叠结构的上部堆叠结构。所述下部堆叠结构和所述上部堆叠结构各自包括布置成层的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。源区竖直地插入于所述下部堆叠结构与所述上部堆叠结构之间。第一支柱阵列从接近所述源区穿过所述上部堆叠结构朝向所述上部堆叠结构上方的第一漏区延伸。第二支柱阵列从接近所述源区穿过所述下部堆叠结构朝向所述下部堆叠结构下方的第二极区延伸。还公开了额外微电子装置，以及相关方法和电子系统。