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基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法

摘要

本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括:通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像;通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像;基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中第二图像对应于所述第一图像;以及基于深度学习,在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。

著录项

  • 公开/公告号CN114063383A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202110355528.0

  • 发明设计人 金禹成;姜旻澈;沈宇宙;

    申请日2021-04-01

  • 分类号G03F1/70(20120101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 14:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/70 专利申请号:2021103555280 申请日:20210401

    实质审查的生效

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