公开/公告号CN114008766A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 伊文萨思粘合技术公司;
申请/专利号CN202080046522.9
申请日2020-06-25
分类号H01L23/16(20060101);H01L23/31(20060101);H01L25/16(20060101);H01L25/18(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人李峥宇
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:05:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-01
公开
国际专利申请公布
机译: 直接键合半导体结构的方法例如用于制造例如晶体管,涉及使键合金属结构经受热平衡并使键合金属结构退火
机译: 包括直接键合硅晶片的堆叠及其制造薄堆叠的方法
机译: 半导体芯片,使用相同芯片的晶圆堆叠及其可提高键合可靠性和电气特性的制造方法