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一种用于卷积神经网络的内存计算eDRAM加速器

摘要

本发明提供了一种用于卷积神经网络的内存计算eDRAM加速器,其特征在于,包括四个P2ARAM块,每个P2ARAM块包括由64x16个5T1C乒乓eDRAM位单元组成的5T1C乒乓eDRAM位单元阵列,在每个P2ARAM块中,由64X2个数字时间转换器从行方向将4比特激活值转换成不同的脉冲宽度,并输入到5T1C乒乓eDRAM位单元阵列中进行计算;而在5T1C乒乓eDRAM位单元阵列的列方向共得到16X2个卷积结果输出。本发明提出的卷积神经加速器使用了:5T1C乒乓eDRAM位单元并行多比特存储和卷积;在不额外增加面积开销的情况下,将累积位线的输入采样电容分摊到CDAC阵列的符号‑数值SAR ADC单元,提出了S2M‑ADC方案。通过这种方式,本发明公开的基于eDRAM的存内计算神经网络加速器达到峰值计算密度为59.1TOPS/mm2,比之前的工作高出约30倍。

著录项

  • 公开/公告号CN113946310A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海科技大学;

    申请/专利号CN202111169936.3

  • 发明设计人 张宏图;束宇豪;哈亚军;

    申请日2021-10-08

  • 分类号G06F5/16(20060101);G06N3/063(20060101);

  • 代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人翁若莹;柏子雵

  • 地址 201210 上海市浦东新区华夏中路393号

  • 入库时间 2023-06-19 13:57:16

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