公开/公告号CN113937176A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州焜原光电有限公司;
申请/专利号CN202111164439.4
申请日2021-10-01
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/101(20060101);H01L31/18(20060101);C30B25/16(20060101);C30B28/14(20060101);C30B29/52(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人苏芳玉
地址 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号
入库时间 2023-06-19 13:54:12
机译: INAS / GASB应变层超晶格红外探测器中的辐射缺陷缓解方法及相关方法
机译: INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译: 在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层