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公开/公告号CN113479855A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉科技大学;
申请/专利号CN202110845552.2
发明设计人 霍开富;宋豪;张旭明;任玉磊;
申请日2021-07-26
分类号C01B21/06(20060101);C01B32/949(20170101);
代理机构42273 武汉世跃专利代理事务所(普通合伙);
代理人邬丽明
地址 430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号
入库时间 2023-06-19 12:49:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-22
授权
发明专利权授予
机译: 用于层状过渡金属硫属化物化合物层的组合物和形成层状过渡金属硫属化物化合物层的方法
机译: 用于层状过渡硫属化物化合物层的组合物和形成层状过渡硫属化物化合物层的方法
机译: 功能化二维层状过渡金属碳化物材料 F I>-二甲苯及其制备方法及其在橡胶中的应用
机译:一种新型的量子点柱状层状过渡金属硫化物。:CdS-MoS_2半导体-金属纳米杂化物
机译:了解层状过渡金属硫化物的反应性:结构和吸附的单个电子描述符
机译:层状过渡金属硫化物催化材料的HREM研究
机译:分离的层状剪切层过渡在二维凸块上
机译:层状铁电体和相关钙钛矿相的薄膜生长和相竞争。
机译:层状过渡金属化合物中的巨磁光拉曼效应
机译:层状过渡金属化合物的角度分辨光发射光谱研究:在嵌入有1T-TaS2和3d过渡金属的TiS2上
机译:层状过渡金属二硫化物的氧化还原液相剥离(后印刷)。