采用刻蚀技术扩大MCP开口面积比的方法及MCP

摘要

本发明提供一种采用刻蚀技术扩大MCP开口面积比的方法及MCP。在常规微通道板的腐蚀工序之后，通道阵列已完成制作，此时，增加一个刻蚀的步骤，采用一定角度的定向的反应离子刻蚀或离子束物理刻蚀，对MCP通道阵列的输入面进行刻蚀处理，处理过程中使得MCP基底进行自转，由此可获得轴对称的扩口结构，显著扩大MCP输入面的开口面积比，结合输入面镀制较浅电极技术，在不影响其他性能的情况下，显著提高MCP对于输入信号的探测效率。同时，在此基础上，在输入面镀制具有高二次电子发射系数的膜层材料，可进一步的提升探测效率。