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用于原子层沉积法的薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法及化合物

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摘要

本发明的目的在于提供一种用于原子层沉积法的薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1～R4各自独立地表示碳数1～5的烷基，A1表示碳数1～5的链烷二基)。

著录项

  • 公开/公告号CN112789367A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社ADEKA;

    申请/专利号CN201980065368.7

  • 发明设计人 冈田奈奈;吉野智晴;山下敦史;

    申请日2019-09-24

  • 分类号C23C16/18(20060101);C23C16/455(20060101);H01L21/365(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人吴宗颐

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 10:55:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/18 专利申请号:2019800653687 申请公布日:20210511

    发明专利申请公布后的驳回

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