电子束扫描电子显微镜用于表征从电子束的视线看被遮挡的侧壁的用途

摘要

由扫描电子显微镜(SEM)的电子束扫描半导体装置。区域包括具有顶部开口和侧壁的三维(3D)特征。在改变所述电子束的能量值时，对所述3D特征进行成像。所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所述第一点在远离所述顶部开口的边缘的某一距离处。基于表示在所述边缘处的二次电子产率的信号随着所述电子束的所述能量值在SEM成像期间变化而发生的变化，确定所述侧壁是否从所述电子束的视线看被遮挡。可通过将所测量的信号与同各种斜率相对应的模拟波形进行比较来确定所述侧壁的斜率。