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公开/公告号CN112239889A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 国网山东省电力公司电力科学研究院;南京大学;
申请/专利号CN202011129343.X
发明设计人 修向前;李悦文;张荣;谢自力;陈鹏;刘斌;郑有炓;李红梅;
申请日2020-10-21
分类号C30B29/40(20060101);C30B25/14(20060101);
代理机构32332 江苏斐多律师事务所;
代理人张佳妮
地址 250002 山东省济南市市中区望岳路2000号
入库时间 2023-06-19 09:36:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-09
授权
发明专利权授予
机译: 通过金属有机化学气相沉积异质外延生长高质量N面氮化镓,氮化铟和氮化铝及其合金的方法
机译: 通过气相外延生长p型氮化镓基化合物半导体的方法
机译: 基于低压化学气相沉积的系统从有机卤化物和金属卤化物中制造钙钛矿膜
机译:使用同步加速器X射线形貌表征通过边缘界定的薄膜进料生长和卤化物气相外延生长的β-Ga_2O_3单晶中的晶体缺陷
机译:卤化物气相外延生长的GaN体中的辐射诱导缺陷
机译:碳和氢诱导卤化物气相表位生长的氮化镓中的黄色发光
机译:流体动力学和反应器设计对金属有机化学气相沉积在硅衬底上氮化镓外延生长的影响。
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:卤化物气相传输外延生长氮化铝衬底