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一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构

摘要

本发明公开了一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构。该结构为多层结构,外层为石英管,左端密封在HVPE的法兰上,起到支撑的作用;中层为两个热解氮化硼管,分别为第一热解氮化硼管和第二热解氮化硼管,防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触,内层是热解氮化硼坩埚,用于盛放液态的金属镓;第一热解氮化硼管套在石英管中;第二热解氮化硼管套在第一热解氮化硼管中;热解氮化硼坩埚放置在第二热解氮化硼管内。采用本发明后,可以有效的防止腐蚀性气体Cl2和石英管接触,防止石英管被腐蚀,避免β‑Ga2O3外延膜中掺入Si杂质,降低外延膜的载流子浓度,提升外延膜的纯度。

著录项

  • 公开/公告号CN112210828A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011141095.0

  • 申请日2020-10-22

  • 分类号C30B29/16(20060101);C30B25/02(20060101);

  • 代理机构12105 天津中环专利商标代理有限公司;

  • 代理人王凤英

  • 地址 300220 天津市河西区洞庭路26号

  • 入库时间 2023-06-19 09:32:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-28

    授权

    发明专利权授予

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