一种提高氮化铝长晶原料纯度的装置及方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种提高氮化铝长晶原料纯度的装置及方法，是针对现有装置在使用过程中碳元素进入到长晶区内影响单晶生长的缺陷所提出，其装置包括钽坩埚和盖在钽坩埚上的第一钽圆片，钽坩埚内设碳化钽坩埚，且碳化钽坩埚的外壁与钽坩埚的内壁为间隙配合，在碳化钽坩埚的顶端盖有碳化钽片，并形成氮化铝原料腔室；在钽坩埚的内壁上部加工有阶梯状台肩，阶梯状台肩位于碳化钽片上方，在阶梯状台肩由上至下的台肩上分别设置有第二钽圆片和氮化铝陶瓷圆片，第一钽圆片、第二钽圆片与钽坩埚共同围合形成钽粉颗粒腔室；第二钽圆片、氮化铝陶瓷圆片与钽坩埚共同围合形成氮化铝粉料腔室。本发明通过吸附碳组分来提升长晶的质量。