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铌酸锂薄膜超晶格的制备方法

摘要

本申请提供一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法,包括:1)制备套刻标记;2)根据套刻标记,在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构;3)在光刻好的叉指电极结构上镀金属电极;4)去除光刻胶,得到周期性叉指电极;5)在一侧叉指电极上接入电极正极,另一侧叉指电极接地,施加电场,使得叉指电极之间畴翻转,去除电极,得到第一周期性畴翻转结构;6)将套刻标记向右平移一个周期的距离,重复步骤2)~5),得到第二周期性畴翻转结构;7)重复执行步骤6),直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等,完成制备。采用前述的方案,采用多次套刻,多次电场极化,在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性的电极,制备出畴壁与z轴垂直的畴结构。

著录项

  • 公开/公告号CN112195520A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011060218.8

  • 发明设计人 尹志军;崔国新;叶志霖;许志城;

    申请日2020-09-30

  • 分类号C30B33/04(20060101);C30B29/30(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人逯长明;许伟群

  • 地址 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

  • 入库时间 2023-06-19 09:29:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    授权

    发明专利权授予

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